主辦單位:南京電子器件研究所
主管單位:中國電子科技集團(tuán)公司
《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》由楊乃彬擔(dān)任主編,由南京電子器件研究所主辦的一本電子類統(tǒng)計源期刊。該刊創(chuàng)刊于1981年。主要刊登電子學(xué)科方面有創(chuàng)見的學(xué)術(shù)論文,介紹有特色的科研成果,探討有新意的學(xué)術(shù)觀點(diǎn)提供交流平臺,擴(kuò)大國內(nèi)外同行學(xué)術(shù)交流。本刊為雙月刊,A4開本,全年定價¥220.00元。歡迎廣大讀者訂閱或投稿。
《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》是一本由中國電子科技集團(tuán)公司主管,南京電子器件研究所主辦的一本面向國內(nèi)外公開發(fā)行的電子類期刊,該刊主要報道電子相關(guān)領(lǐng)域的研究成果與實(shí)踐。該刊已入選統(tǒng)計源期刊。 影響因子為0.43 《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》主要內(nèi)容欄目有三維集成射頻微系統(tǒng)(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學(xué)、硅微電子學(xué)、材料與工藝、研究簡訊。
《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》主要發(fā)文機(jī)構(gòu)有:南京電子器件研究所(發(fā)文量925篇),該機(jī)構(gòu)主要研究主題為“晶體管;電路;放大器;單片;GAAS”;東南大學(xué)(發(fā)文量317篇),該機(jī)構(gòu)主要研究主題為“電路;半導(dǎo)體;放大器;晶體管;集成電路”;復(fù)旦大學(xué)(發(fā)文量231篇),該機(jī)構(gòu)主要研究主題為“電路;功耗;集成電路;低功耗;半導(dǎo)體”。
《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》主要發(fā)文主題有電路、晶體管、半導(dǎo)體、放大器、集成電路、GAAS、砷化鎵、單片、場效應(yīng)、二極管。其中又以”電路(444篇)”居于榜首,發(fā)文量第二的是“晶體管”(403篇),發(fā)文量第三的是“半導(dǎo)體”(305篇),發(fā)文主題最少的是“二極管”,僅發(fā)文141篇。
1、來稿要求:
本刊歡迎下列來稿:電子及相關(guān)學(xué)科領(lǐng)域的研究方面的論著,反映國內(nèi)外電子學(xué)術(shù)動態(tài)的述評、論著、綜述、講座、學(xué)術(shù)爭鳴的文稿,以及有指導(dǎo)意義的電子書刊評價等。文稿應(yīng)具科學(xué)性、先進(jìn)性、新穎性和實(shí)用性,內(nèi)容翔實(shí),簡明扼要,重點(diǎn)突出,文字?jǐn)?shù)據(jù)務(wù)求準(zhǔn)確,層次清楚,標(biāo)點(diǎn)符號準(zhǔn)確,圖表規(guī)范,書寫規(guī)范。本刊不接受已公開發(fā)表的文章,嚴(yán)禁一稿兩投。對于有涉嫌學(xué)術(shù)不端行為的稿件,編輯部將一律退稿,來稿確保不涉及保密、署名無爭議等,文責(zé)自負(fù)。
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述評、專家論壇、指南解讀欄目來稿請附第一作者及通信作者的個人簡介及近照。個人簡介內(nèi)容包括職稱、職務(wù)、學(xué)術(shù)兼職、主要研究領(lǐng)域、主要研究成果、所獲重大榮譽(yù)獎項(xiàng)等,字?jǐn)?shù)以 100~300 字為宜。近照以 2 寸免冠彩色證件照為宜,格式為“.jpg”,像素不得低于 300 dpi。
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文題力求簡明、醒目,反映文稿主題,中文文題控制在 20 個漢字以內(nèi)。題名中應(yīng)避免使用非公知公用的縮略語、字符、代號以及結(jié)構(gòu)式和公式。有英文摘要者同時給出英文文題,中英文文題含義應(yīng)一致。
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文中所有圖表均需為作者自行制作而非引用他人文獻(xiàn)中的圖表。圖表力求簡明,設(shè)計應(yīng)科學(xué),避免與正文重復(fù)。凡能用少量文字說明的數(shù)據(jù)資料盡量不用圖表。正文與表中數(shù)據(jù)應(yīng)認(rèn)真核對,準(zhǔn)確無誤,表內(nèi)數(shù)據(jù)同一指標(biāo)的有效位數(shù)應(yīng)一致。
機(jī)構(gòu)名稱 | 發(fā)文量 | 主要研究主題 |
南京電子器件研究所 | 925 | 晶體管;電路;放大器;單片;GAAS |
東南大學(xué) | 317 | 電路;半導(dǎo)體;放大器;晶體管;集成電路 |
復(fù)旦大學(xué) | 231 | 電路;功耗;集成電路;低功耗;半導(dǎo)體 |
中國科學(xué)院 | 148 | 晶體管;半導(dǎo)體;分子束;分子束外延;異質(zhì)結(jié) |
西安電子科技大學(xué) | 116 | 半導(dǎo)體;電路;金屬氧化物半導(dǎo)體;晶體管;碳化硅 |
浙江大學(xué) | 77 | 電路;半導(dǎo)體;芯片;金屬氧化物半導(dǎo)體;低功耗 |
清華大學(xué) | 70 | 電路;集成電路;計算機(jī);半導(dǎo)體;GAAS |
天津大學(xué) | 69 | 隧穿;電路;晶體管;共振隧穿;負(fù)阻 |
南京大學(xué) | 68 | 發(fā)光;半導(dǎo)體;納米;氮化鎵;GAN |
中國科學(xué)院微電子研究所 | 68 | 電路;低噪;低噪聲;晶體管;CMOS |
資助項(xiàng)目 | 涉及文獻(xiàn) |
國家自然科學(xué)基金 | 823 |
國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃 | 147 |
國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃 | 113 |
江蘇省自然科學(xué)基金 | 68 |
中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金 | 50 |
國家科技重大專項(xiàng) | 47 |
國家教育部博士點(diǎn)基金 | 44 |
福建省自然科學(xué)基金 | 26 |
國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開放基金 | 24 |
河北省自然科學(xué)基金 | 24 |