Journal of Semiconductors雜志介紹

《Journal of Semiconductors》是一本由中國科學院主管，中國科學院半導體研究所;中國電子學會主辦的一本面向國內外公開發行的電力類期刊，該刊主要報道電力相關領域的研究成果與實踐。該刊已入選CSCD期刊、統計源期刊。 影響因子為0.17 《Journal of Semiconductors》主要內容欄目有研究快報、研究論文、研究簡報、技術進展。

《Journal of Semiconductors》主要發文機構有：中國科學院（發文量1375篇），該機構主要研究主題為“半導體；激光；激光器；砷化鎵；GAAS”；清華大學（發文量433篇），該機構主要研究主題為“電路；集成電路；CMOS；半導體；VLSI”；復旦大學（發文量371篇），該機構主要研究主題為“電路；硅；半導體；集成電路；CMOS”。

《Journal of Semiconductors》主要發文主題有半導體、CMOS、電路、激光、發光、硅、GAAS、晶體管、激光器、砷化鎵。其中又以”半導體（540篇）”居于榜首，發文量第二的是“CMOS”（316篇），發文量第三的是“電路”（277篇），發文主題最少的是“砷化鎵”，僅發文205篇。

Journal of Semiconductors影響力及榮譽

• CSCD 中國科學引文數據庫來源期刊(含擴展版)
• 統計源期刊(中國科技論文優秀期刊)
• 知網收錄(中)
• 維普收錄(中)
• 萬方收錄(中)
• EI 工程索引(美)
• CA 化學文摘(美)
• SA 科學文摘(英)
• JST 日本科學技術振興機構數據庫(日)
• Pж(AJ) 文摘雜志(俄)
• 劍橋科學文摘
• 國家圖書館館藏
• 上海圖書館館藏
• 文摘與引文數據庫
• 文摘雜志
• 全國優秀科技期刊
• 中國科技期刊優秀期刊

Journal of Semiconductors投稿注意事項

1、來稿要求：

本刊歡迎下列來稿：電力及相關學科領域的研究方面的論著，反映國內外電力學術動態的述評、論著、綜述、講座、學術爭鳴的文稿，以及有指導意義的電力書刊評價等。文稿應具科學性、先進性、新穎性和實用性，內容翔實，簡明扼要，重點突出，文字數據務求準確，層次清楚，標點符號準確，圖表規范，書寫規范。本刊不接受已公開發表的文章，嚴禁一稿兩投。對于有涉嫌學術不端行為的稿件，編輯部將一律退稿，來稿確保不涉及保密、署名無爭議等，文責自負。

2、作者簡介：

述評、專家論壇、指南解讀欄目來稿請附第一作者及通信作者的個人簡介及近照。個人簡介內容包括職稱、職務、學術兼職、主要研究領域、主要研究成果、所獲重大榮譽獎項等，字數以 100～300 字為宜。近照以 2 寸免冠彩色證件照為宜，格式為“.jpg”，像素不得低于 300 dpi。

3、文題：

文題力求簡明、醒目，反映文稿主題，中文文題控制在 20 個漢字以內。題名中應避免使用非公知公用的縮略語、字符、代號以及結構式和公式。有英文摘要者同時給出英文文題，中英文文題含義應一致。

4、圖表：

文中所有圖表均需為作者自行制作而非引用他人文獻中的圖表。圖表力求簡明，設計應科學，避免與正文重復。凡能用少量文字說明的數據資料盡量不用圖表。正文與表中數據應認真核對，準確無誤，表內數據同一指標的有效位數應一致。