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《電子科技》2014年第五期

1襯底減薄工藝

ccd制作工藝選用雙面拋光p－Si外延片，襯厚度535±10μm，襯底電阻率0.01Ω•cm，外延層厚度15±1μm，外延層電阻率30Ω•cm。完成常規的CCD工藝后，將圓片分割成管芯后進行背面減薄工藝。如果僅使用濕法腐蝕，腐蝕的非均勻性會影響減薄效果，濕法減薄前需要使用研磨方式去除大部分襯底，減薄硅片至100μm。先后用20μm、9μm、3μm、1μm的氧化鋁顆粒進行研磨，每種顆粒所生產的損傷層厚度約為該顆粒直徑的3倍，研磨后CCD背面幾μm的損傷層通過濕法腐蝕去除。在研磨過程中，需要逐漸控制芯片上的壓力和磨盤的轉速，避免在研磨時出現芯片損壞。

濕法腐蝕采用各向同性的HNA腐蝕液，成分包括硝酸、氫氟酸和冰乙酸。其在硅表面的反應模式是氧化還原反應，接著是二氧化硅的去除。反應方程式如下:硝酸是氧化劑，氫氟酸去除生成的氧化物，同時作用的結果是去除硅。冰乙酸的作用是稀釋劑。不同比例的溶液對不同摻雜濃度的硅腐蝕速率不同，高摻雜材料氧化速率的硅去除率較高，因此外延層界面在減薄工藝中起到腐蝕停止的作用。完成研磨減薄后，使用環氧樹脂將硅片粘接到玻璃片上作為物理支撐，否則減薄完成后硅片會由于應力的原因而彎曲。將玻璃片固定在可旋轉的夾具上。夾具如圖1所示。腐蝕過程中進行旋轉有兩個作用:一是不斷攪拌腐蝕液，使得腐蝕液濃度、比例均勻;二是利用離心力的作用使反應產生物離開硅片表面，提高反應速率和反應均勻性。對不同配方的腐蝕液分別對襯底和外延層進行了腐蝕實驗。使用物質的量濃度為40%的HF酸、70%的硝酸和99%的冰乙酸，分別按照3∶5∶8、2∶2∶3、2∶3∶8、1∶3∶6和2∶1∶11的比例進行配置，得出了腐蝕速率和腐蝕選擇比，如表1所示。HF酸和硝酸濃度較高時，腐蝕速率快，對襯底外延層的腐蝕速率接近。

HF酸和硝酸的比例較低時，對襯底何外延層的腐蝕速率同時減低，對外延層的腐蝕速率下降程度大于對襯底的腐蝕速率下降程度，調節腐蝕液到一定的比例時，即可用于背面減薄工藝。本文使用了HF酸∶硝酸∶乙酸為2∶1∶11的腐蝕液。

2結果分析

文中共進行了10個樣品的減薄，有5只樣品完成最終工藝，5只樣品在中間過程中損失。最終減薄的厚度如表2所示。圖3為大面陣CCD被減薄到15μm的照片，由于應力的原因。芯片從支撐片上取下后出現了卷曲。圖4為透過減薄后硅片的日光燈照片，因為硅片非常薄，已經可以透過波長較長的紅光。使用本文中的減薄技術對1024×512可見光CCD進行了背面減薄，并實現了背照式成像，如圖5所示。對比了正照和背照量子效率曲線，如圖6所示，可見背照模式量子效率高于正照模式，峰值量子效率達54%，但距背照理論的峰值量子效率約有10%的差距，這是因為直接減薄的CCD背面存在內建電場，使光生電子尤其是背面表層產生的電子驅動到背面勢阱，不能被CCD收集轉移，從而造成短波量子效率低，峰值量子效率達不到理論值。解決方案是在減薄后的背面形成一層薄的硼離子摻雜層，目前主流的做法是在背面進行離子注入，并進行激光脈沖退火激活雜質。

3結束語

使用研磨減薄和濕法相結合的方式實現了大面陣CCD的減薄，減薄后芯片厚度＜15μm，非均勻性＜±5%。對減薄后的器件進行了成像及量子效率性能測試，量子效率比正照提高了50%。

作者：鄧剛韓恒利鐘四成單位：重慶光電技術研究所硅工藝中心