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《電加工與模具雜志》2016年第一期

摘要：

檸檬酸金鉀含氰量低，以它為主鹽的金溶液穩(wěn)定性好且具有可添加性。為解決傳統(tǒng)有氰電鑄金溶液氰化物含量高、溶液危害大、處理困難及無氰電鑄金溶液穩(wěn)定性較差且不具備可添加性等問題，選用以檸檬酸金鉀為主鹽的金溶液進行電鑄試驗。通過對比不同加工參數(shù)，研究電流密度、陰陽極間距和沖液速度等對電鑄層的影響，得到優(yōu)化后的加工參數(shù)，最終在鈦基片上電鑄出微小金結(jié)構(gòu)。

關(guān)鍵詞：

檸檬酸金鉀；低氰；可添加；電鑄；微小金結(jié)構(gòu)

金具有優(yōu)良的導(dǎo)電性、易焊性及耐高溫性能，它能在復(fù)雜環(huán)境下保持良好的穩(wěn)定性[1]。因此，純金微小零件被廣泛應(yīng)用于微電子、尖端軍事設(shè)備及宇宙空間技術(shù)等領(lǐng)域[2]。由于金的延展性好，使用常規(guī)機械加工方法加工純金微小零件可能會產(chǎn)生毛刺及飛邊[3]。而電鑄金技術(shù)在微電子、光電子及微制造領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用[4-6]，利用該技術(shù)可有效避免上述問題，制造出復(fù)雜結(jié)構(gòu)的純金微小零件。伴隨著電鑄金技術(shù)的不斷發(fā)展，對電鑄金溶液的研究也愈加深入[7]。目前常用的電鑄金溶液可分為有氰溶液和無氰溶液兩大類。有氰溶液應(yīng)用于電鑄金技術(shù)的歷史悠久，且該技術(shù)成熟穩(wěn)定。與無氰溶液相比，有氰溶液穩(wěn)定性好，金離子沉積速度快；此外，有氰溶液中的金鹽制備更簡單，金鹽成本更低；但傳統(tǒng)有氰溶液含有大量劇毒的氰化物，易對環(huán)境及操作人員造成威脅和傷害。因此，傳統(tǒng)的有氰溶液正逐步被低氰、無氰溶液取代。

無氰溶液主要包括亞硫酸鹽溶液和硫代硫酸鹽溶液。亞硫酸鹽溶液適合電鑄厚金，且具有鑄層光亮、延展性好、內(nèi)應(yīng)力小及溶液無毒等特點，故應(yīng)用廣泛。但亞硫酸鹽溶液不具有可添加性，且溶液穩(wěn)定性較差、易變質(zhì)[8]。硫代硫酸鹽溶液由于穩(wěn)定性差，且同樣不具備可添加性，目前對其研究較少。檸檬酸金鉀是一種新型低氰鍍金主鹽，以它為主鹽的金溶液具有含氰量低、對環(huán)境及操作人員危害小、穩(wěn)定性好，且具有可添加性等優(yōu)點。在國家大力提倡清潔生產(chǎn)的背景下，高氰金溶液逐步被低氰、無氰金溶液取代是大勢所趨。而目前無氰溶液穩(wěn)定性較差，又不具備可添加性，使用無氰溶液電鑄需不斷配制新溶液并回收廢液中的金離子，使用成本高，故暫不具備大規(guī)模推廣的條件。因此，將低氰且可反復(fù)使用的檸檬酸金鉀溶液用于電鑄試驗研究，推進低氰金溶液取代高氰金溶液極有必要且意義重大。本文以檸檬酸金鉀作為主鹽，在鈦基片上開展電鑄微小金結(jié)構(gòu)的試驗，通過對比電流密度、陰陽極間距和沖液速度等參數(shù)對電鑄層的影響，探索最佳加工參數(shù)，從而進行微小金結(jié)構(gòu)的制備。

1試驗原理及系統(tǒng)

1.1試驗原理微細電鑄金技術(shù)的基本原理見圖1。覆蓋有絕緣光刻膠模的金屬基片為陰極，電鑄材料金為不溶性陽極，含有電鑄材料離子的鹽溶液為電鑄液。在微細電鑄金的過程中，陽極電解水產(chǎn)生電子，電鑄液中的金離子得到電子，在電場作用下沉積到陰極的基片上。隨著微細電鑄的進行，基片上沉積的金越來越厚，直至達到所需的厚度為止。

1.2試驗系統(tǒng)電鑄裝置見圖2。金板為不溶性陽極，與電源正極連接；覆蓋有絕緣光刻膠模的金屬基片為陰極，與電源負極連接。陽極和陰極都裝夾于夾具中，且陰、陽極間距可調(diào)。使用溫控裝置保持電鑄液恒溫，通過沖液泵實現(xiàn)電鑄液的高速循環(huán)，電源選用恒流電源。該裝置能促進電鑄液高速循環(huán)，加快陰、陽極間的溶液交換速度，快速地帶走電鑄產(chǎn)物，減少鑄層缺陷。同時，可施加較大的電流，提高電鑄速度，降低光刻膠模在電鑄液中的浸泡時間，從而減小膠模的溶脹量，提高微小零件的尺寸精度。

2工藝參數(shù)試驗與分析

2.1試驗安排由于金鑄層與鈦合金結(jié)合力小，以鈦合金作為基底易于后期金零件脫模，所以試驗選用鈦合金（TC4）作為陰極基片的材料，并將SU-8干膜光刻膠貼在基片上，曝光顯影后作為陰極。選用黃金薄板作為不溶性陽極。電鑄液以檸檬酸金鉀為主鹽，金離子質(zhì)量分數(shù)為3g/L。對不同加工參數(shù)（如電流密度、陰陽極間距、沖液速度）分別進行電鑄試驗。利用光學(xué)顯微鏡及掃描電子顯微鏡比較不同加工參數(shù)下的電鑄層質(zhì)量，得到最優(yōu)加工參數(shù)，在該參數(shù)下制備微小金結(jié)構(gòu)，并用能譜儀檢測零件的金純度。

2.2電流密度對電鑄層的影響電流密度是電鑄工藝的一個重要指標，它對鑄層的結(jié)晶狀況有較大的影響。采用沖液電鑄夾具，設(shè)置陰陽極距離為10mm，沖液泵流量為800L/h，電鑄液溫度為50℃，電鑄時間12h，研究不同電流密度（0.5～2.0A/dm2）對鑄層表面質(zhì)量的影響。試驗結(jié)果顯示，在其他條件不變的情況下，隨著電流密度逐漸增大，鑄層的顏色從黃色明亮逐漸變得發(fā)紅發(fā)暗，同時金沉積速度逐漸加快。當(dāng)電流密度為0.5A/dm2時，鑄層表面較明亮，鑄層厚度較薄；當(dāng)電流密度為1.0A/dm2時，鑄層顏色開始變紅；當(dāng)電流密度在1.0～1.8A/dm2時，鑄層顏色偏紅；當(dāng)電流密度為2.0A/dm2時，鑄層表面明顯變黑。用掃描電子顯微鏡觀察不同電流密度下的鑄層表面形貌。由圖3可看出，不同電流密度下的鑄層結(jié)晶晶粒及鑄層的致密程度差異較大。當(dāng)電流密度為0.5A/dm2時，沉積層并沒有緊密地填充在膠膜內(nèi)部，形成的沉積層松散，內(nèi)部空隙大（圖3a）。當(dāng)電流密度增大到1.0A/dm2時，沉積速度加快，沉積層開始變厚（圖3b）。當(dāng)電流密度為1.5A/dm2時，可觀察到鑄層結(jié)晶晶粒細密，且鑄層表面也更平整（圖3d）。然而，過大的電流密度會導(dǎo)致鑄層結(jié)晶晶粒粗大。如圖3f所示，當(dāng)電流密度達到2.0A/dm2時，鑄層的結(jié)晶晶粒明顯變得粗大，同時可明顯觀察到鑄層表面松散，顏色偏黑，像是一層浮灰散落在鑄層表面。通過觀察鑄層表面特征及結(jié)晶晶粒，得到不同電流密度對鑄層的影響。電流密度較小（0.5A/dm2左右）時，鑄層顏色雖然明亮，但鑄層內(nèi)部結(jié)構(gòu)松散，空隙較大。當(dāng)電流密度在1.0～1.8A/dm2時，鑄層表面顏色開始偏紅，鑄層內(nèi)部致密，且電流密度為1.5A/dm2時鑄層質(zhì)量最好。當(dāng)電流密度超過1.8A/dm2后，鑄層表面開始發(fā)黑，結(jié)晶晶粒粗大，鑄層結(jié)合力差。因此，后續(xù)試驗設(shè)置電流密度為1.5A/dm2。

2.3沖液速度與陰陽極間距對鑄層表面質(zhì)量的影響電鑄層的表面質(zhì)量不僅與電流密度有關(guān)，還受到?jīng)_液速度及陰陽極間距的影響。沖液能將夾具內(nèi)、外的電鑄液進行充分的交換，以保證溶液中金離子分布均勻，同時帶走電鑄產(chǎn)物。改變陰陽極間距實際上是改變了電鑄區(qū)域內(nèi)電鑄液的液層厚度，進而改變液相傳質(zhì)速度及沖液對電鑄液強制交換的效果等。理論上，沖液速度與陰陽極間距需合理搭配，使電鑄區(qū)外金離子的運輸和交換速度等于電化學(xué)反應(yīng)的速度。因此，本試驗同時考察沖液速度與陰陽極間距對電鑄效果的影響。在電流密度為1.5A/dm2、出液口直徑為10mm條件下，通過調(diào)整陰陽極間距，并利用可控流量計控制沖液速度進行試驗。由圖4可看出，當(dāng)陰陽極間距為6mm時，鑄層表面明顯發(fā)黑，在流速較低的條件下，鑄層邊緣產(chǎn)生大量積瘤（圖4a）；當(dāng)陰陽極間距增大到10mm時，鑄層顏色變得光亮，沖液泵流量分別在400、1200L/h時鑄層表面平整，電鑄效果好，且在400L/h的流量下鑄層表面最光亮（圖4b）；當(dāng)陰陽極間距增加至14mm時，鑄層表面開始出現(xiàn)裂紋、起皮現(xiàn)象；隨著陰陽極間距繼續(xù)增大至18mm，鑄層表面起皮更嚴重。綜上所述，在流量400L/h、陰陽極間距10mm時電鑄效果最好。

3電鑄微小金結(jié)構(gòu)

根據(jù)上述試驗數(shù)據(jù)及分析，在電流密度為1.5A/dm2、陰陽極間距為10mm、沖液流量為400L/h、電鑄溫度為50℃的條件下電鑄微小金結(jié)構(gòu)，得到長3.52mm、寬1.21mm、厚0.2mm的微小金結(jié)構(gòu)。用能譜儀檢測該微小結(jié)構(gòu)的金純度為100%。

4結(jié)論

（1）對以檸檬酸金鉀為主鹽的新型鑄金溶液進行電鑄厚金的可行性驗證試驗，結(jié)果表明檸檬酸金鉀可用于電鑄厚金。（2）在自行搭建的電鑄系統(tǒng)上，分別對電流密度、陰陽極間距和沖液速度進行對比試驗，分析各參數(shù)對沉積速度、鑄層質(zhì)量的影響。發(fā)現(xiàn)在電流密度1.5A/dm2、流量400L/h、陰陽極間距10mm的參數(shù)下鑄層質(zhì)量好。

參考文獻：

[1]李賢成.無氰亞硫酸鈉鍍金工藝[J].電鍍與涂飾，2005，24（9）：31-32.

[2]楊維生.化學(xué)鍍鎳金在印制電路板制造中的應(yīng)用[J].化工新型材料，2002，30（2）：24-26.

[3]蘇興.電鑄微小金結(jié)構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)研究[D]．南京：南京航空航天大學(xué)，2013.

作者：張遠 李寒松 胡孝昀 朱荻 單位：南京航空航天大學(xué)機電學(xué)院